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在这项工作中，我们提出了一种基于微尺度时间分辨电晕开尔文技术来测量 SiC 中掺杂浓度的新方法。 在该方法中，SiC 表面的电晕充电是在微型电晕点内完成的，并使用开尔文力微型探针来测量点中心的表面电压衰减。 电压衰减是由于表面扩散产生的电荷衰减造成的，类似于探针下的电压-电荷扫描。 我们使用二维电荷扩散分析来提取两个参数 - 1）SiC 外延层中的掺杂浓度和 2）SiC 表面电晕离子的扩散系数。 本工作中演示的微点电晕-开尔文方法对于微尺度掺杂均匀性测试和 SiC 生产晶圆小面积测量具有重要意义。