利用精细的非接触式 CV 技术准确表征氧化 SiC 中的掺杂剂和界面

非接触式 C-V 技术作为一种针对宽带隙半导体的精确、经济且高效的计量技术，最近引起了人们的兴趣。 非接触式 C-V 最初专注于掺杂剂测量，现已扩展到宽带隙表面和界面表征，包括对功率器件的未来至关重要的复杂可靠性问题。 在这项工作中，我们报告了使用新的直接方法确定平带电压 V_FB 和电容 C_FB 所取得的进展。 给出了 n 型氧化外延 4-H SiC 的实验结果。 他们演示了该方法和独特的自洽测量，可产生一整套相关的电参数，包括界面陷阱密度 D_it。