通过恒定表面电势电晕充电准确测定 SiC 中的掺杂密度； Hg-CV 的行业就绪替代品

我们提出了一种改进的碳化硅非接触式掺杂密度测定方法，它具有 3 个新颖的特点：(1) 电晕充电耗尽的恒定表面电位方法； (2) 振动开尔文探针测量耗尽表面电压和保持恒定表面电势的电压补偿，以及 (3) 独特的自洽数据分析程序。 在外延 SiC 上获得的结果表明，对于 e15cm^-3 和 e19cm^-3 范围内的掺杂，在 10 次重复 0.05% 和 0.1% 的情况下，精度提高了 3 倍，重复性提高了 1σ。 增强的充电范围能够测量 e19cm^-3 范围内的高掺杂密度，并实现更大的掺杂分析深度。 通过这些改进，SiC 的非接触式掺杂计量成为 Hg-CV 的行业替代品。