光散射断层扫描在Si(111)样品中的应用

直拉法生长的硅 (Si) <100> 晶圆中体微缺陷的检测对于晶圆质量控制具有重要意义。 光散射断层扫描 (LST) 是用于此目的的行业标准技术。 这种光学非接触式计量需要破坏性的样品制备：样品必须劈成两半。 该方法的一个特殊特征是暗场检测装置，它是通过将光检测部分（显微镜单元）与照明分开来实现的。 照明应用于样品的前表面，并且从缺陷散射的光通过解理表面收集。 该技术要求解理面与前表面垂直，这对于 Si(100) 晶片来说是满足的。 然而，Si(111) 晶片的标称解理表面并不垂直于前表面，而是具有 70.5° 的角度。 这种解理的显着差异导致 Si(111) 晶片无法通过标准 LST 系统进行测量。 幸运的是，可以通过将检测部分倾斜到适当的角度来修改标准 LST 系统，从而允许测量 Si(111) 样品。 在本文中，我们详细介绍了这项新技术，展示了新系统的设计和测量能力。 在正确的样品制备后，通过与相同样品的标准 LST 测量直接比较来验证测量结果。