应用非接触电晕-开尔文计量表征等离子体氮化 SiO2

在本文中，我们展示了微电晕-开尔文计量学在监测目前用于先进栅极电介质的等离子体氮化工艺制备的氮氧化硅的电性能方面的应用。 要讨论的关键测量参数有：介电电容等效厚度（CET）、价带隧道范围内的介电电压（VB）、界面俘获电荷（Qit）和平带电压。 负极性隧道条件被用作介电价带的量度。 利用 Si3N4 和 SiO2 之间较大的价带偏移差异，我们利用这些隧道测量对 SiON 电介质中的氮含量进行非常灵敏的探测。