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我们提出了一种硅上先进电介质的非接触式电气计量方法，重点是监测氮氧化物和硅酸铪等混合电介质的成分。 该方法利用了混合电介质的各个组件之间显着的能带偏移差异。 为了最大限度地提高对能带偏移的灵敏度，测量是在自调节稳态 (SASS) 条件下的隧道范围内完成的。 当电晕充电脉冲通过电介质感应出与离子充电电流匹配的隧道电流时，就获得了这种条件。 正电晕用于探测导带偏移，而负电晕用于探测价带偏移。 关键测量参数是SASS条件下的介电电压。 它使用商用电晕-开尔文工具进行测量，具有宏观 (mm2) 和微观 (30 × 30 μm2) 充电和监测功能。 介电表面电位是用振动开尔文探针测量的。 隧道电流的建模用于说明该方法的原理并支持相关的 SASS 方程。 该方法适用于p-Si 上SiON 混合电介质的倾斜。