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使用非接触生成寿命来表征注入层的质量。 该技术不需要制造任何结型器件或 MOS 电容器。 通过监测晶片表面上的电晕电荷脉冲产生的深度耗尽崩溃期间的表面电压衰减来测量发电寿命。 使用振动开尔文探针测量的电压衰减是由于少数载流子的生成造成的，类似于 MOS 电容器中生成寿命的电容瞬态测量。 残余植入物损伤表现为更快的生成速率以及因此更快的电压衰减速率。 一代寿命是根据注入能量和退火温度来测量的。
基于电晕的一代寿命技术产生了额外的有用参数，即掺杂剂浓度。 掺杂剂浓度根据击穿电压计算得出，并由击穿条件下的注入分布和耗尽宽度决定。