嵌入 Ge 纳米晶体的 MNOS 结构的充电行为

发布到: Physica Status Solidi C 9, 1370-1373

年: 2012

作者: Zs. J. Horváth, K. Zs. Molnár, Gy. Molnár, P. Basa, T. Jászi, A. E. Pap, R. Lovassy, P. Turmezei

MNOS structuresGe nanocrytalsOxide thickness

通过实验和计算电子和空穴分别到氮化物层的导带或价带的隧道概率，研究了嵌入在 SiO₂/Si₃N₄ 界面处的含有 Ge 纳米晶的 MNOS 结构的充电行为。结论是，对于 2-3 nm 的氧化物厚度，可以预期没有纳米晶体的 MNOS 结构的最佳充电行为。 SiO₂/Si₃N₄界面处半导体纳米晶的存在极大地提高了薄氧化层（2-3 nm）结构在低电场下的电子和空穴的隧道概率，但它们并不影响结构在高电场下的充电行为。计算结果与Ge纳米晶MNOS结构的实验结果一致。（© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）