使用微波光电导衰减 (μ-PCD) 与连续电晕电荷 (Charge-PCD) 结合测量少数载流子寿命的硅表面处理方法比较

发布到: ECS Transactions Volume 25, Issue No. 3, Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization 6 ALTECH 2009)

年: 2009

作者: T. Pavelka, Á. Pap, P. Kenesei, M. Varga, F. Novinics, M. Tallián, G. Borionetti, G. Guaglio, M. Pfeffer, E. Don

Microwave Photoconductive Decay (μ-PCD)C-PCDcorona chargecarrier lifetime

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报告了一种测量少数载流子寿命的新方法的实验结果，该方法作为过程控制工具，用于确定生产环境中硅晶片和/或外延生长后的微量金属污染。在这种新方法中，少数载流子寿命是通过微波光电导衰减（μ-PCD）测量的，同时用电晕电荷对表面氧化硅充电。我们将该方法命名为 Charge-PCD。结果比较了低温方法与各种电晕充电配方制备的表面氧化物的各种质量，以确定新方法的最佳工艺和局限性。

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