联系我们获取详情与报价
获取专家建议，为您研发需求量身定制解决方案
我们介绍了等离子体和热处理步骤引起的氧化物和硅缺陷的快速非接触式全晶圆表征的基本原理和代表性示例。 使用最近推出的“COCOS”和表面掺杂方法获得参数和分布结果，这些方法增强了接触电位差和表面光电压方法。 测量的参数包括平带电压、界面陷阱密度、软击穿、氧化物表面电势和恢复寿命。 我们研究了等离子金属蚀刻和灰化、热氧化、退火环境和氮化方法的影响。
