使用差分结光电压技术对硅异质结太阳能电池结构进行非接触式方块电阻表征

这项工作报告了应用差分结光电压 (diff-JPV) 技术通过测量硅异质结 (HJT) 电池结构发射极侧的方块电阻 (R_sh) 来表征硅异质结 (HJT) 电池结构发射极侧的导电层。 针对同质结发射极开发的diff-JPV测量原理可直接应用于异质结电池结构，精确测定发射极侧透明导电氧化物(TCO)层的R_sh。 这是 diff-JPV 在非硅层和异质结上的首次应用。 此外，这种简单快速的测量结果不受衬底晶圆电阻率的影响，并且与优化的四点探针测量表现出良好的相关性。 diff-JPV 技术的独特之处在于，即使具有非常大的薄层电阻，它也能够表征发射极类型层，这是其他非接触式技术难以实现的。 结果发现，在 PE-CVD 工艺沉积氢化非晶硅叠层后，对晶圆进行 diff-JPV 测量，所得的 R_sh 值在 80 – 240 kΩ/sq 之间。 范围。 薄层电阻对衬底掺杂的依赖性表明测量与形成在发射极非晶硅层堆叠下方的反型层有关。 由于其他技术无法实现如此灵敏的反型层检测和表征，diff-JPV 可以成为进一步优化异质结界面的重要方法。