使用偏振应力成像仪研究体硅应力与光刻缺陷的相关性

偏振应力成像是监测硅晶圆体应力分布的绝佳方法。 在这项研究中，使用 Semilab 的偏振应力成像仪 (PSI) 系统显示了体硅应力与光刻缺陷的相关性。 使用 PSI 光学成像计量工具和 AMAT 的 UVision 晶圆检测工具对采用 7 nm 先进节点 FinFET 器件的 300 mm 直径样品进行了研究。 在浅沟槽隔离蚀刻后和栅极蚀刻后对两组样品进行了分析。 结果表明，应力成像可以检测导致高缺陷率的工艺偏差，并可用于故障分析以查明故障的根本原因。