联系我们获取详情与报价
获取专家建议，为您研发需求量身定制解决方案
对铜污染的硅进行了表面光电压少数载流子寿命/扩散长度分析。 据观察，n 型硅中的铜和铜相关缺陷比 p 型硅中的少数载流子寿命降低更多。 这一发现可以通过对其他深能级瞬态光谱研究确定的铜相关缺陷水平的分析来解释。 在受铜污染的 p 型硅中，光学或热激活过程会显着降低扩散长度。 提出了一种类似于 p 型硅中 Fe-B 的工艺。 活化过程解离了 Cu-Cu 对（p 型硅中的弱复合中心），并且铜在硅中形成了扩展的替代缺陷，从而具有更大的复合活性。 在这样的激活过程之后没有观察到扩散长度的恢复。 活化后铜和铁扩散长度恢复特性的差异可用于区分铁污染和铜污染。