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随着越来越小的晶体管和新结构的出现，也出现了新的计量挑战，包括不同结构缺陷的检测。 穆勒矩阵 (MM) 测量可以提供研究它们的机会。
缺陷可能导致设备性能恶化； 因此，它们的表征尤为重要。 我们的目标是研究使用 MM 测量检测不对称缺陷的可能性，并研究叉片场效应晶体管 (FET) 情况下这些结构缺陷的可区分性。
模拟不同程度和方向的叉片 FET 轮廓不对称的 MM 测量。 为了量化由缺陷引起的光学响应的可区分性，计算了不对称参数之间的相关性。 由于样品的精确对准是检测不对称性的关键因素，因此还研究了对准不确定性的影响以及滤除它的方法。
MM 测量对轮廓弯曲的幅度和方向以及介电壁的移位都很敏感。 相关系数表明，可以区分不对称缺陷和对准误差的光学响应。 后者甚至可以通过本文介绍的方法消除。