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一种新技术已经开发出来,可以提供 USJ 结构的激活掺杂剂分析,而无需复杂的基于泊松的校正。 该技术已在薄至 25 nm 的 USJ 层上得到验证。 这种测量技术的价值在于它消除了对迁移率变化的任何考虑,并允许人们专注于电激活的掺杂剂。 由于轮廓的形状会影响器件性能,因此这种测量将有助于优化工艺开发。