用于超高纯硅片的数字 SPV 扩散长度计量 (E8-Fe)

发布到: Electrical Chemical Society Fall Conference, 2008

年: 2008

作者: M. Wilson, A. Savtchouk, I. Tarasov, J. D’Amico, P. Edelman, N. Kochey, J. Lagowski

Minority Carrier Diffusion Lengthsurface photovoltageiron detection in silicon wafers

我们讨论了新一代 SPV 少数载流子扩散长度计量，其精度提高了 10 倍，能够在 E8 原子/cm3 范围内检测硅晶片中的铁，并提取真实的稳态扩散长度 L0。这一改进归功于重新设计的硬件和 SPV 测量过程的全数字控制。该数字 SPV 采用了一种新颖的多频方法，可优化 Fe 检测和 L0 提取。后者由 SPV 工具中集成的晶圆背面复合速度测量提供支持。

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