UV-臭氧氧化的多样化应用：有效的表面清洁和高质量的钝化

人们早就认识到，有效的表面清洁对于提高太阳能电池和半导体器件的性能至关重要。 在这篇文章中，我们通过将简单的紫外线臭氧 (UVo) 工艺与行业标准 RCA 和紫外线辅助去离子水 (DiO₃) 技术进行比较，介绍了晶体硅表面清洁的有效性。 尽管很简单，但紫外线臭氧清洁可产生与 RCA 和 DiO₃ 清洁相当的有效表面钝化质量，即饱和电流密度 (J₀) 为 7 fA/cm²，而 5 fA/cm² 和 8 fA/cm²。 除了表面清洁之外，我们还介绍了 UVo 和 DiO₃ 氧化物均可用作晶体硅基板的高质量化学钝化，但 UVo 氧化物比 DiO₃ 氧化物提供更好的钝化效果。 与没有 UVo 氧化物的界面相比，在硅和氧化铝或氮化硅的界面之间加入 UVo 氧化物可将 J₀ 降低 50% 以上。