SiNx薄膜和太阳能电池中移动离子的漂移特性

移动离子在PECVD SiN中的低温（30–200 °C）漂移特性_{硅集成电路计量学的非接触式离子漂移光谱测量技术来测定id="">x}薄膜和太阳能电池。 结果表明，PECVD SiN_x 薄膜中 Na⁺ 离子的漂移始于低至 50 °C 的温度。 与微电子领域使用的 SiN_x 薄膜相比，这似乎是一种截然不同的行为，它作为扩散屏障提供了出色的保护。 本研究是在 SiN_x 薄膜和故意被 Na、K 和 Cu 污染的最终太阳能电池上进行的。 在非接触式离子漂移光谱测量中，电介质上的电场是由沉积在上的电荷产生的。 href="https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/dielectric-material" id="">介电表面，在空气中具有电晕放电。 通过以受控速率随时间升高温度来施加温度应力。 离子漂移降低了用振动开尔文探针监测的介电电压。 电压与时间、电压与温度以及相应的导数特征用于量化漂移速度、离子浓度和漂移活化能。 后者在导数光谱dV/dT与温度的关系中产生特征离子峰。 移动离子映射的计量版本基于与不同离子漂移相对应的选定温度下的全晶圆电晕偏置温度应力。 映射是识别离子源的强大手段，例如来自细胞封装玻璃的Na。 这将有利于进一步阐明Na在电势诱导降解（PID）效应中的作用，即极化效应和电势诱导分流（PIS）。