磷和硼扩散吸杂对多晶硅片光致退化的影响

多晶硅（multi-Si）是目前应用最广泛的晶体硅太阳能电池材料。 尽管使用高性能 (HP) 多晶硅使电池效率有了显着提高，但用这种材料制造的 PERC（钝化发射极和背面电池）器件会遭受强烈的光致衰减 (LID) 影响。 本研究旨在研究利用扩散吸气来降低 HP 多晶硅晶圆中 LID 的可能性。 通过使用电感耦合等离子体质谱法，我们测量了不同扩散条件下姐妹样品中的杂质浓度。 结果表明，800℃下50-Ω/sq POCl₃扩散和60-Ω/sq BBr₃扩散可以有效吸收杂质。 使用表面光电压测量来测量吸杂前后的间隙 Fe (Fe_i) 和光致缺陷浓度。 在 80°C 下降解样品 24 小时后，我们观察到经过磷扩散吸杂的 HP 多晶硅片中光致缺陷浓度最低。 与未扩散的姊妹样品相比，经过硼扩散吸杂的样品也表现出较低的 LID。