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在“生长”寿命和电池性能之间发现了有趣的间接相关性，因为两者都受到晶圆热历史的影响。
我们还观察到通过 LST 在生长样品上测量的 BMD 位置与 PERT 电池上的缺陷区域之间存在非常强的相关性 通过 PL 测量进行定位。 对热处理样品的 LST 测量（模拟 PERT 电池过程）显示 BMD 在低效率区域的生长。 这表明即使在使用LST技术的生长材料中也可以检测出有害缺陷。
