通过电荷注入钝化发射极

我们发现了一种设计发射极复合和饱和电流的新方法，J₀，利用电晕控制电荷注入界面区域附近的深层电介质陷阱。 从电介质表面去除电晕电荷后，注入的电荷保留在界面处，从而产生高度期望的低发射极复合状态。 该效应通过 SiO₂/SiN_x 堆栈钝化的 n 衬底上的 p⁺ 发射器得到证实。 所需的电荷注入是通过正电晕充电产生的，导致电子隧道穿过界面 SiO₂ 薄膜，到达 SiN_x 中的陷阱。 应该指出的是，注射钝化需要与过去场效应钝化研究中使用的电晕极性相反的电晕极性。 这种新现象可能很重要，不仅对于基本理解，而且可以想象，作为控制采用电介质叠层进行发射极钝化的下一代先进电池中的电荷的一种手段。