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电荷偏置非接触电压成像，QUAD（质量均匀性和缺陷）是在 25 个 200 [mm] 4H-SiC 晶圆上生长的外延层上测量的。 分析电气数据，并将 ΔV 信号的偏差与具有 UV-PL 功能的光学表面检测系统观察到的缺陷进行比较。 电压降低和缺陷分类之间关系的可靠统计数据表明，可以很好地检测到外延层中的三角形和其他几种缺陷。 QUAD 映射可以很好地初步指示外延层的电活性缺陷。
