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在简要描述了金属氧化物半导体 (MOS) 器件架构的演变以及对外延生长工艺的相应要求之后，该手稿描述了用于互补场效应晶体管 (CFET) 器件的复杂 Si/SiGe 多层堆叠的材料特性。 它们含有两种不同的 Ge 浓度，并使用传统工艺气体生长。 使用相对较高的生长温度以获得可接受的Si和SiGe生长速率。 当 Ge 浓度高达 40% 时，岛的生长仍然受到抑制。 将报道 Si/SiGe 多层堆叠的优异结构和光学材料特性，堆叠的顶部和底部分别具有多达 3 + 3 个 Si 通道。 晶格缺陷的存在/不存在已通过室温光致发光测量得到验证。 低温下的光致发光测量用于研究各个子层的带间发光，并说明 CFET 堆栈的光学材料质量。