使用平行偶极线霍尔效应系统提取 CdTe、CdSeTe 和 CdSe 薄膜的电特性

使用高灵敏度平行偶极线 (PDL) 霍尔效应系统研究了沉积态 CdSe、沉积态和 CdCl2 处理的 Cd'Te 以及 CdCl2 处理的 CdSeTe/CdTe 薄膜的电性能。 PDL 霍尔提供交流和传统直流磁场模式，具有更高的信噪比 (S/N)，可实现更可靠、更准确的测量。 详细提供了 PDL 霍尔效应测量过程中使用的步骤。 薄膜的载流子浓度、迁移率、电阻率、薄层电阻和多数载流子类型（p 或 n）可以从霍尔测量中提取。 在 CdTe 薄膜的 IV 扫描过程中，通过电阻率测量观察到了肖特基型行为。 将使用更适合样品接触的材料（例如金）来消除这种非欧姆行为。 这将提供改进的信号以提取可靠的结果。