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小信号表面光电压 (SPV) 测量技术已应用于监测用于层转移 SOI 工艺的典型离子注入。 研究了这种 SPV 晶圆映射技术对剂量的敏感性、注入均匀性以及通过 1450Aå 表面氧化物将氢和氦注入 (100) 硅晶圆的可重复性。 观察到所调查案例的归一化灵敏度约为 1.2。 在氢注入晶圆上连续多天测量的重复性低于 0.5% 1-sigma 标准偏差。 所提出的小信号 SPV 计量技术允许对 SOI 晶圆制造过程中的关键离子注入步骤进行在线 SPC 控制。