180nm BCD 技术的植入优化

180nm 双极-CMOS-DMOS (BCD) 技术的关键部分是使用具有高贝塔值的 PNP 双极器件。 宏观和微观光致发光成像（MacroPL、μPL）通过高强度照明激发半导体中的载流子，然后观察辐射复合产生的较长波长的光子； 使用了带间发射和缺陷带间发射。 使用显微光致发光成像可以快速表征位错和其他抑制 PNP beta 的缺陷并采取纠正措施。