利用电晕电荷非接触式 C-V (CnCV) 改进高精度掺杂剂/载流子浓度分析

我们报告了最近开发的基于电晕的非接触电容电压 (CnCV) 计量技术的重大进展，用于 SiC 和其他宽带隙半导体的全面 C-V 表征。 该技术满足了材料和器件开发以及制造控制对无损、经济高效的 C-V 掺杂剂监测的行业需求。 在 10¹⁴cm^-3 至 2x10¹⁹cm^-3 浓度范围内，SiC、Ga₂O₃、GaN 和 AlGaN/GaN 结构具有出色的精度和与汞探针 CV 的匹配。 目前工作的重点是提高 CnCV 在掺杂深度分析分辨率和测量方面的整体性能。 这是通过可变充电方法实现的，该方法根据掺杂剂浓度的变化原位调整电晕充电增量。 给出了 AlGaN/GaN HEMT 结构中多层外延 SiC 和 2DEG 的结果。 后者代表了高低浓度分析的极端情况，从 2D 电子气中的 10²⁰电子/cm^-3 过渡到完全耗尽的阱，并且掺杂剂浓度在 10¹⁵cm^-3 范围内。