采用非接触式电气技术的在线 90 nm 技术栅极氧化氮监测

不断缩小 IC 元件的尺寸，导致在薄栅极氧化层中引入氮，以增加介电常数并改善栅极介电性能。 必须应用在线监控来控制氮气量，以确保电气行为随着时间的推移是正确的。 历史上，这种监测是通过椭圆偏振仪测量再氧化延迟 (D2R) 来进行的。 但是，这种方法不适合生产，因为它取决于初始氧化和再氧化的再现性，这意味着在这两个特定的处理步骤中实施专门的统计过程控制 (SPC) 监控。 我们在此提出一种 D2R 的替代方法，用于通过快速热处理 (RTP) 生长的 90 nm 技术栅极氧化物。 应用非接触式计量技术，将开尔文探针表面电压测量与表面电晕沉积相结合，在氮化步骤之后，界面捕获电荷（⁠