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我们展示了在先进 DRAM 生产晶圆的有源电容器单元区域中的 ZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ) 电介质堆栈上采集的微电晕 - 开尔文数据。 具体来说，我们将在图案化晶圆上测量的微 SASS（自调节稳态）电压数据与在 ZAZ 电介质叠层上类似获取的数据进行比较。 通过比较，我们制定了一个模型，将有源区域微 SASS 电压解释为与 ZAZ 电介质叠层电容成正比。 该方法和随附模型的验证是通过测量生产基线来进行的，该生产基线显示了对各种过程偏差的敏感性。 通过将在线活性单元面积微型 SASS 数据与末端电气参数测量电容和击穿电压数据进行比较，可以实现进一步的验证。 我们还证明，该方法（包括电晕充电和有源器件区域的测量）不会对最终器件良率产生不利影响。