前驱气体配比及烧成对APCVD氧化铝硅表面钝化的影响

使用高通量在线气氛化学气相沉积 (APCVD) 工具，我们以三甲基铝 (TMA) 和 O₂ 前驱体为原料合成了非晶态氧化铝 (AlO_x) 薄膜，每个晶圆的最大沉积厚度为 150 nm min^–1。 对于 p 型晶体硅 (c-Si) 晶圆，采用 APCVD Al2O_x 薄膜实现了出色的表面钝化，在标准工业烧制步骤后，最佳最大有效表面复合速度 (S_eff,max）为 8 cm/s。 研究结果可能归因于存在大量负电荷 (Q_f ≈ –3 × 10¹² cm^–2）和低界面缺陷密度 (D_it ≈ 4 × 10¹¹ eV^–1 cm^–2）由薄膜实现。 该数据表明 APCVD Al2O_x 在高效、低成本工业太阳能电池中的应用潜力巨大。 （© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）