钝化缺陷、电荷和接口的在线 PL 检测和高级离线评估

最近推出的全晶圆测绘和成像技术为发射极钝化缺陷的根本原因分析创造了新的可能性。 在线兼容 PL 成像可识别诸如发射极饱和电流增加和隐含开路电压降低的局部区域等缺陷。 然后可以通过多参数非接触式测量对缺陷区域进行高级离线评估，这些测量能够确定表面复合、界面陷阱密度或控制场效应钝化的介电电荷的作用。 讨论了相关的新颖计量方法，并使用介电膜和非晶硅异质结先进硅钝化的示例进行了说明