使用平行偶极线霍尔效应系统研究高阻 ZnO 薄膜的电性能

使用超灵敏 PDL 霍尔效应系统研究了沉积态、退火态和 CdCh 处理的 ZnO 薄膜的电性能。 薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率是从霍尔效应测量中提取的。 以前通过射频溅射沉积的较薄 ZnO 薄膜是绝缘的，无法从霍尔效应测量中获得线性 1-V 响应或有用信号。 在这项研究中，一些在不同衬底温度下沉积的较厚的 ZnO 薄膜表现出改善的 1V 响应和增强的霍尔信号。 这使得能够提取可靠的载流子浓度和迁移率值。 在500∘C的衬底温度下沉积的750 nm厚的ZnO薄膜导致平均载流子浓度为4.24×1013cm−3。 当薄膜在 500°C 真空下退火并进行 CdCl2 处理时，载流子浓度进一步增加。