采用非接触 SASS 技术研究高 K 介电性能

基于电介质脉冲电晕充电和使用振动 CPD 探针进行时间分辨电压测量的非接触式高 k 监测技术被应用于通过原子层沉积在 p 型 Si 上生长的堆叠 HfO2 层。 结果表明，这种方法可以将 C-V 型测量与隧道范围内的高场电流测量相结合。 两者的结合为栅极电介质的定量表征提供了一种强大的方法，可给出等效氧化物厚度 EOT 和泄漏指标 LI（电介质泄漏电流的对数测量值）。 当应用于不同 HfO2 厚度的偏差时，该方法给出了中间层的 EOT、HfO2 的介电常数和 HfO2 导带偏移。