使用 PDL 霍尔技术研究薄 IGZO 层中的持久光电导和相关电子迁移率

铟镓氧化锌 (IGZO) 一种制造薄膜晶体管 (TFT) 的流行材料。 薄 IGZO 层 中的光引起的长期电导变化（称为持久光电导，PPC）是一个应该深入理解和控制的重要现象。 我们使用平行偶极线 (PDL) 交流霍尔测量技术来研究 IGZO 层 中电荷载流子的电导和迁移率的光诱导变化及其在黑暗中的弛豫。 在 PDL 系统中，旋转永磁体用于在非常紧凑的设计中通过谐波调制实现大磁场下的交流霍尔测量。 准备了几个具有不同层厚度、成分和钝化条件的样品来研究 PPC 现象。 PPC 的大小和弛豫表现出对 IGZO 制备条件的强烈依赖性。 在一些样品中，在室温下观察到电导增加了十倍以上。 放松时间从几个小时到几天不等。 一个有趣的观察结果是，由于照明，迁移率（在 1 cm²/Vs-8.9 cm²/Vs 范围内）也随着电导的增加而增加。