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经过大约一年的时间进行了详细的参数研究，以确定在线表面光电荷计量系统对于已建立的大容量 0.35 /spl mu/m CMOS 工艺中使用的主要植入参数的测量灵敏度和可重复性。 关键的p沟道晶体管注入工艺； 阈值电压调整和 Halo 用于表征计量系统。 已经以统计精度测量了小至 1.5% 的剂量变化，从而可以实时量化过程控制的改进。 各种植入物的长期系统重复性低于 1% (1/spl sigma/)，从而可以实时突出显示过程漂移或尖峰偏移的敏感可见性。