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结光电压 (JPV) 方法在超浅植入 (USJ) 计量中的应用已有详细记录。 在本文中，我们报告了 JPV 方法在控制注入过程中的应用，该过程创建了与表面隔离的电活性层。 在此类结构中，四点探针 (4PP) 计量不可靠或不可能。 本文介绍了使用结光电电压 (JPV) 方法获得的结果，该方法针对这两种工艺的表征进行了优化，CMOS：通过屏蔽氧化物注入，然后退火，以及 MeV p 型高能注入到 n 型掺杂衬底中，然后退火。 JPV 方法考虑到误差和必要的校正，无需额外的处理步骤即可对此类结构进行精确的高分辨率映射。 JPV 测量获得的结果与破坏性离线分析测量工具相关。