等离子体浸没离子注入硅中损伤模式的横向测绘

对于通过等离子体浸没离子注入（PIII）形成的精细结构浅结，可以通过遵循预定激光曝光图案的高能短激光脉冲来执行注入后退火。 在这项工作中，我们在 p 型 (100) Si 晶圆上以 5e14-1e16 cm⁻² 剂量范围进行了 2 kV BF₃ PIII。 PIII 之后是脉冲激光退火 (PLA)，应用于重叠和非重叠激光点曝光配置，并采用 0.4–0.6 J cm⁻² 范围内的不同激光能量注量。 通过光调制反射率、微光致发光 (μ-PL) 和光谱椭圆光度术分析了 PIII 和 PLA 的效果。 晶圆尺度图和线扫描清楚地显示了激光图案配置对退火的影响。 我们证明，所应用的表征方法的组合提供了有效的制造过程控制，并提供了有关缺陷水平、受损层厚度和载流子复合过程的有价值的信息。