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通过对有意被铜污染的硅进行接触电位差 (CPD) 和交流表面光电压 (SPV) 测量，研究了硅表面上铜的电学表现。 相应的物理模型涉及铜诱导的表面态。 Cu 诱导的负表面电荷表现为 p 型 Si 中功函数的增加和表面耗尽势垒 Vsb 的减少，以及 n 型 Si 中的增加。 Cu 的 SPV 表现是表面寿命 tau s 的缩短。 这些表现应该能够在 1e8 原子/cm2 范围内监测 Cu。 实际上，由于只有一小部分表面铜具有电活性，因此并未达到此限制。 使用光学表面处理可以克服这一障碍，该处理可以电激活表面铜并隔离铜的贡献。 通过这种方法，我们演示了使用 Vsb 在 1e9 原子/cm2 范围内以及使用 tau s 在 1e10 原子/cm2 范围内检测铜。