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描述了测量 USJ 源极-漏极结构的四点探针 (4PP) 方块电阻 (Rs) 的精确方法。 新方法利用弹性材料探针（EM探针）与硅表面形成非穿透性接触。 探头设计是运动学的，力是受控制的，以确保探头材料的弹性变形。 选择探针材料，使得大的直接隧道电流可以流过原生氧化物，从而形成低阻抗接触。 对 SIMS 结深度浅至 15 nm 的 USJ 注入 P+/N 结构进行了薄层电阻测量。 使用新的 EM 探针 4PP 方法获得的薄层电阻值与预期一致。 在本文中，该方法将在各种植入的 USJ 结构上进行演示。