深沟槽结构产生的晶体缺陷的室温微光致发光成像

硅中的深沟槽 (DT) 是机械应力的来源，最终可能导致晶体缺陷的形成。 这项工作表明，室温微光致发光成像可用于对 DT 产生的埋藏缺陷进行无损在线监测。 通过训练用于自动图像分割的卷积神经网络，图像分析实现自动化，从而可以检查大区域。 对不同间距和重数的DT结构的分析表明，DT相互距离是控制缺陷产生的主要因素。 最后，逐步分析可以检测导致缺陷产生的步骤以及工艺流程中缺陷密度的进一步增加。