深沟槽 0.18 μm 功率半导体器件位错产生的微光致发光成像

发布到: ASMC 2018 Annual Conference

年: 2018

作者: L. Jastrzebski, G. Nadudvari, D. T. Cseh, L. Roszol, G. Molnar, I. Lajtos

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