利用电荷辅助 KFM 和紫外光致发光对 4H-SiC 中屈服杀手缺陷的电活动进行微尺度成像

在这项工作中，我们比较了外延 4H-SiC 晶圆中良率杀手缺陷的非接触式电荷电压成像和紫外光致发光 (UV-PL) 成像。 两项重要发现分别基于宏观和微观尺度成像。  1- 整个晶圆图像表明，三角形、倒塌和胡萝卜类别中只有一小部分 UV-PL 缺陷具有电活性。 2- 微观尺度图像揭示了 PL 和电气缺陷图像之间的相似性和差异。 首次提出，三角形缺陷内的微米分辨率泄漏模式与参考文献 1 中的微观结构建模一致。结果表明，致命缺陷内的耗尽层泄漏对应于暴露的 3C-SiC 多型体。 这种泄漏可能是由于 3C-SiC 的能隙为 2.2eV，而 4H-SiC 的能隙为 3.3eV。