使用磷扩散吸气来减轻光和高温引起的多晶硅片和 PERC 太阳能电池的退化

减少光和高温诱导退化 (LeTID) 对于在高性能多晶硅 (multi-Si) 晶圆上制造的 PERC（钝化发射极和背面电池）太阳能电池的工业成功非常重要。 尽管在理解降解动力学方面已经取得了很大进展，但在高温（约 80°C，1 Sun）下多硅晶圆中导致 LeTID 的缺陷尚未确定。 在这项研究中，作者探讨了使用磷扩散吸杂 (PDG) 来减少多硅晶圆和太阳能电池中 LeTID 的可能性。 通过测量 LeTID 前后多晶硅片中的光致缺陷浓度，作者观察到 PDG 可以大幅降低平均缺陷浓度。 使用电感耦合等离子体质谱法进行的微量元素分析表明，来自铸锭边缘的多硅晶片的晶粒中含有高浓度的 Cu、Ni 和 Ti，这些晶粒比相邻晶粒的降解程度更高。 为了探索 PDG 在多晶 PERC 太阳能电池中减少 LeTID，作者制造了具有两种不同发射极轮廓的电池。 据观察，回蚀严重扩散的发射极以获得高薄层电阻可以改善太阳能电池的 LeTID 性能，这种效果很可能与晶圆内杂质浓度的降低有关。