CMP 工艺后监测铜通孔结构和周围电介质堆叠

本研究重点关注经过化学机械平坦化 (CMP) 工艺的加工晶圆，特别强调监测以大约 45 μm 光栅图案化的 Cu VIA 结构之间的电介质堆叠厚度。 采用光谱椭偏仪测定一维堆叠多层厚度，同时采用成像光谱反射仪揭示横向厚度轮廓。