莫尔 SOI 器件的非接触式 C-V 和光致发光测量

许多超摩尔 (MtM) 器件使用绝缘体上硅 (SOI) 晶圆，包括功率器件和 CMOS 图像传感器。 非接触式电容电压 (CV) 和光致发光测量已广泛用于表征体硅晶圆上的电介质和少数载流子寿命。 在本研究中，我们将这些测量扩展到超摩尔 (MtM) 绝缘体上硅 (SOI) 器件晶圆。