超薄电介质的非接触式 C-V 测量

在本文中，我们提出了一种用于硅上超薄电介质的非接触式 C-V 技术。 该技术使用电介质的增量电晕充电和通过振动电容电极测量表面电势。 使用时间分辨测量生成微分准静态 C-V 曲线。 该技术结合了跨导校正，可以实现亚纳米范围内相应的超低电氧化层厚度 (EOT) 测定。 它还提供了一种监测平带电压 V_FB、界面陷阱光谱 D_IT 和总介电电荷 Q_TOT 的方法。 该技术不仅被视为 MOS C-V 测量的替代品，而且还被视为水银探针 C-V 测量的替代品。 此外，电晕 C-V 测量的 EOT 比光学测厚方法具有主要优势，因为它不受水吸附和分子空气污染物 MAC 的影响。 这些效应一直是超薄电介质光学计量的一个问题。