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这种非接触式高 k 监测技术基于差分准静态 C-V，该差分准静态 C-V 是使用时间分辨计量结合电晕充电和接触电位差 (CPD) 测量而生成的。 该技术结合了跨导校正，可在高场范围 (10MV/cm) 内进行测量，以提取与低至亚纳米范围的超低等效电氧化物厚度 (EOT) 相对应的大介电电容。 它还提供了一种监测平带电压 VFB、界面陷阱光谱 DIT 和总介电电荷 dQTOT 的方法。 该技术不仅被视为 MOS C-V 测量的替代品，而且还被视为水银探针 C-V 测量的替代品。 与光学方法相比，差动电晕 C-V 测量 EOT 具有重大优势，因为它不受水吸附和分子空气污染物 MAC 的影响。 这些效应一直是超薄电介质光学计量的一个问题。 所呈现的结果说明了该技术在最先进栅极电介质（包括 Si-O-N 和 HfO2）中的应用。