IC 产品晶圆小测试区域介电表征的非接触充电电压方法

我们提出了一种电表征方法，用于监测半导体 IC 产品晶圆的微型 50 μm×70 μm 划线测试点上的电介质。 该方法是电晕-开尔文计量学微尺度的延伸，用于直径约 5 毫米的更大场地。 电晕充电和开尔文探针的小型化是在不牺牲精度或可重复性的情况下实现的。 该设备包含用于识别测试地点的机器视觉系统。 使用先进的栅极电介质和关键电气参数（即电介质电容、泄漏、电介质电荷和平带电压）来演示微观测试。 监测是非接触式的，不会添加污染物或颗粒。 因此，测量完成后，产品晶圆可以返回晶圆厂进行进一步加工。