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对逻辑或存储器生产线中高 k 电介质的电气特性进行在线监控在半导体行业中变得越来越重要。 基于非接触式电晕开尔文计量学可用于有效监测在线关键介电性能。 此外，我们还提出了这种计量学向微观尺度的重要扩展，允许在小至 40μm × 70μm 的测试场地上测量介电性能。 这是通过电晕充电装置和开尔文探针的小型化来实现的，而不牺牲精度或可重复性。 Corona-Kelvin 显微计量技术可以直接监控产品晶圆上的关键介电特性，然后将其返回晶圆厂继续加工。 给出了先进电介质的电介质电容和氧化物-氮化物-氧化物 (ONO) 存储器结构的特性的应用示例。 在后一种情况下，我们演示了通过电晕充电实现的 ONO 结构的编程和擦除。 我们还使用测量的平带电压和总电荷来确定 ONO 结构中第一个 SiO2/Si3N4 界面处编程电荷的位置。