外延 SiC 中的非接触式掺杂分析

我们提出了一种非常快速、非接触且无需准备的方法来确定碳化硅外延层中的掺杂浓度和掺杂深度分布。 该方法是最近获得专利的 Q²-V 技术的延伸。 它利用空气中的电晕放电，以精确控制的电荷剂量 ΔQₑ 为外表面充电。 电晕充电后，使用振动探头对表面电势 V 进行非接触式测量。 一系列充电和测量步骤产生 Q²-V 图，对于均匀掺杂，该图满足线性关系。 对于非均匀掺杂，深度剖面是通过导数 dQ²/dV 获得的，类似于导数电容法。